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CMPT5551中文资料

CMPT5551图片

CMPT5551外观图

  • 大小:78.76KB
  • 厂家:CENTRAL [Central Semiconductor Corp]
  • 描述:NPN SILICON TRANSISTOR
  • 制造商:Central Semiconductor
  • 产品种类:Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性:NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:160 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO:6 V
  • 最大直流电集电极电流:0.6 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min:80 at 1 mA at 5 V
  • 配置:Single
  • 最大工作频率:300 MHz
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:SOT-23
  • 封装:Reel
  • 最小工作温度:- 65 C
  • 功率耗散:350 mW
  • 工厂包装数量:3000
  • 零件号别名:3000 PCS T&R

CMPT5551供应商

更新时间:2023-01-26 17:13:26
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